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普泰克制冷設備

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普泰克-高低溫測試探針臺典型應用場景

更新時間:2025-06-13點擊次數(shù):253

四、典型應用場景

1. 半導體器件可靠性測試
  • 汽車電子芯片:在 - 40℃~+125℃下測試 MCU 的時鐘穩(wěn)定性(如英飛凌 AURIX 系列芯片需通過 AEC-Q100 認證);

  • 功率器件:IGBT 在高溫(+175℃)下的導通電阻變化測試,評估熱失控風險。

2. 先進材料與器件研發(fā)
  • 量子比特芯片:在液氦溫度(-269℃)下測試超導量子干涉器(SQUID)的量子隧穿效應;

  • 寬禁帶半導體:SiC MOSFET 在 + 200℃下的擊穿電壓測試(傳統(tǒng) Si 器件僅能承受 + 150℃)。

3. MEMS 與傳感器測試
  • 壓力傳感器:在 - 20℃~+85℃下校準溫度漂移系數(shù)(如博世 BMP388 氣壓傳感器需補償溫漂);

  • 紅外探測器:低溫(-150℃)下降低熱噪聲,提升探測靈敏度。

五、操作流程與安全規(guī)范

  1. 測試前準備
    • 樣品預處理:在室溫下固定于樣品臺,確保熱傳導良好(使用導熱硅脂或夾具);

    • 探針校準:通過標準電阻(如 1Ω、100Ω)校準接觸電阻,避免測量誤差。

  2. 溫控操作要點
    • 超過 + 150℃時需使用隔熱擋板,防止探針支架變形;

    • 升溫速率不超過 10℃/min,避免樣品熱應力開裂。

    • 穿戴防凍手套,避免液氮濺到皮膚(凍傷溫度 <-150℃);

    • 保持腔體通風,防止液氮揮發(fā)導致氧氣濃度低于 19.5%(窒息風險);

    • 液氮使用安全

    • 高溫防護

  3. 數(shù)據(jù)采集與分析
    • 溫度系數(shù)(TC):ΔV/ΔT(如 MOSFET 閾值電壓 TC≈-2.5mV/℃);

    • 熱阻(Rth):通過結溫 - 功耗曲線計算(如 LED 芯片 Rth<5℃/W)。

    • 使用源表(如 Keithley 4200)同步記錄溫度 - 電性能曲線,典型測試項目:


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