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普泰克-高低溫測(cè)試探針臺(tái)典型應(yīng)用場(chǎng)景

發(fā)布時(shí)間: 2025-06-13  點(diǎn)擊次數(shù): 153次

四、典型應(yīng)用場(chǎng)景

1. 半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試
  • 汽車(chē)電子芯片:在 - 40℃~+125℃下測(cè)試 MCU 的時(shí)鐘穩(wěn)定性(如英飛凌 AURIX 系列芯片需通過(guò) AEC-Q100 認(rèn)證);

  • 功率器件:IGBT 在高溫(+175℃)下的導(dǎo)通電阻變化測(cè)試,評(píng)估熱失控風(fēng)險(xiǎn)。

2. 先進(jìn)材料與器件研發(fā)
  • 量子比特芯片:在液氦溫度(-269℃)下測(cè)試超導(dǎo)量子干涉器(SQUID)的量子隧穿效應(yīng);

  • 寬禁帶半導(dǎo)體:SiC MOSFET 在 + 200℃下的擊穿電壓測(cè)試(傳統(tǒng) Si 器件僅能承受 + 150℃)。

3. MEMS 與傳感器測(cè)試
  • 壓力傳感器:在 - 20℃~+85℃下校準(zhǔn)溫度漂移系數(shù)(如博世 BMP388 氣壓傳感器需補(bǔ)償溫漂);

  • 紅外探測(cè)器:低溫(-150℃)下降低熱噪聲,提升探測(cè)靈敏度。

五、操作流程與安全規(guī)范

  1. 測(cè)試前準(zhǔn)備
    • 樣品預(yù)處理:在室溫下固定于樣品臺(tái),確保熱傳導(dǎo)良好(使用導(dǎo)熱硅脂或夾具);

    • 探針校準(zhǔn):通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)電阻(如 1Ω、100Ω)校準(zhǔn)接觸電阻,避免測(cè)量誤差。

  2. 溫控操作要點(diǎn)
    • 超過(guò) + 150℃時(shí)需使用隔熱擋板,防止探針支架變形;

    • 升溫速率不超過(guò) 10℃/min,避免樣品熱應(yīng)力開(kāi)裂。

    • 穿戴防凍手套,避免液氮濺到皮膚(凍傷溫度 <-150℃);

    • 保持腔體通風(fēng),防止液氮揮發(fā)導(dǎo)致氧氣濃度低于 19.5%(窒息風(fēng)險(xiǎn));

    • 液氮使用安全

    • 高溫防護(hù)

  3. 數(shù)據(jù)采集與分析
    • 溫度系數(shù)(TC):ΔV/ΔT(如 MOSFET 閾值電壓 TC≈-2.5mV/℃);

    • 熱阻(Rth):通過(guò)結(jié)溫 - 功耗曲線計(jì)算(如 LED 芯片 Rth<5℃/W)。

    • 使用源表(如 Keithley 4200)同步記錄溫度 - 電性能曲線,典型測(cè)試項(xiàng)目:


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